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晶体管
SQJ457EP-T1_GE3参考图片

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SQJ457EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：221,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥7.1416
71.416
100
¥5.6839
568.39
500
¥4.4522
2226.1
3,000
¥3.2205
9661.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ457EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7665S2TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET
1:¥8.9157
10:¥7.571
100:¥5.8195
500:¥5.1415
4,800:¥3.6047
9,600:查看
参考库存:23340
BSZ165N04NS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:18657
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.6159
参考库存:10839
DN2530N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 300V 12Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:17316
IPD50N03S2L-06
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:10958

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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