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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	39
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTx
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTD123EC
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6551	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo	1:¥37.8776 10:¥33.8096 100:¥30.8151 250:¥27.8206	参考库存:5755
PSMN7R6-100BSEJ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 100 V 7.6 mo FET	1:¥18.0574 10:¥15.368 100:¥12.2944 500:¥10.7576 800:¥8.9157	参考库存:76697
STGB5H60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed	1:¥10.4525 10:¥8.9157 100:¥6.8591 500:¥6.0681 1,000:¥4.7912	参考库存:12884
BCR 198S H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR	1:¥2.6894 10:¥1.7628 100:¥0.75258 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:5951
FZT1049ATC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt	4,000:¥2.6442	参考库存:47985