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晶体管
BSZ058N03LS G参考图片

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BSZ058N03LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.3391
11695.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ58N3LSGXT SP000307424
商品其它信息
优势价格，BSZ058N03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17318Q2T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1696
250:¥2.1696
1,000:¥1.6724
参考库存:8604
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:3926
STFU9N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:7148
SIA928DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:21205
2PS12017E44G35911
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥51,270.9476
参考库存:2247

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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