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晶体管
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NSVMMBTA05LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR NPN
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库存：41,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
3,000
¥0.53788
1613.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA05LT1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
500 mA
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSVMMBTA05LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK1053DPB-00#J5
Renesas Electronics
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暂无价格
参考库存:33411
TSM2301BCX
Taiwan Semiconductor
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1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.1696
500:¥1.4803
3,000:¥0.99101
9,000:查看
参考库存:33416
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
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4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:33421
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:33426
IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥7.345
10,000:¥7.0625
参考库存:33431

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    50万现货SKU

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