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晶体管
IPB160N04S4-H1参考图片

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IPB160N04S4-H1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.91
7910
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
137 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB16N4S4H1XT SP000711252
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB160N04S4-H1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:5573
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
1,000:¥20.6677
2,000:查看
参考库存:11495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:7204
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:18261
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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