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晶体管
TK7P65W,RQ参考图片

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TK7P65W,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥11.8311
118.311
100
¥10.3734
1037.34
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.328
6328
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
660 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK7P65W
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥152.4483
250:¥139.8488
500:¥133.1592
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1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
1,000:¥15.9104
2,000:查看
参考库存:8638

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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