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晶体管
NGTB50N120FL2WAG参考图片

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NGTB50N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/50 FAST IGBT FSII T
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库存:5,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.1038
42.1038
10
¥35.7306
357.306
100
¥30.962
3096.2
250
¥29.4252
7356.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB50N120FL2WA
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,NGTB50N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
参考库存:7239
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:31156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:26533
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:17145
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3397
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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