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晶体管
STGF4M65DF2参考图片

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STGF4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:7,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7065
57.065
100
¥4.3844
438.44
500
¥3.8759
1937.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
23 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF4M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGF4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:39664
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
9,000:¥0.9831
参考库存:104731
晶体管
MOSFET P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.97632
参考库存:65938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:4100
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:60852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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