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晶体管
SQJ414EP-T1_GE3参考图片

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SQJ414EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified
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库存:18,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.3901
53.901
100
¥4.0906
409.06
500
¥3.3787
1689.35
1,000
¥2.7007
2700.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
9.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQJ414EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,SQJ414EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:14606
晶体管
IGBT 模块 MIPAQ SERVE 1200V 150A
1:¥3,343.3875
5:¥3,141.9085
参考库存:2238
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.2092
1,000:¥2.5538
5,000:¥2.1583
参考库存:2275
晶体管
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:39662
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.4415
2,000:查看
参考库存:5174
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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