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晶体管
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RGW00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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43.957
10
¥37.3465
373.465
100
¥32.431
3243.1
250
¥30.736
7684
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
254 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
96 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8S18210WHSR3
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参考库存:30696

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