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晶体管
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QPD1003

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
15 A
输出功率
540 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
370 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
RF-565
封装
Tray
配置
Single
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1003PCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131389
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N7008-G
Microchip Technology
晶体管
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10:¥3.8985
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10:¥8.4524
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