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晶体管
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2N1131

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥48.4883
484.883
25
¥44.183
1104.575
100
¥39.8777
3987.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 5 mA, 10 V
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N1131 PBFREE
单位重量
1.006 g
商品其它信息
优势价格,2N1131的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:115949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12551
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0512
参考库存:4768
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
暂无价格
参考库存:32807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:57470
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