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晶体管
NGTB60N65FL2WG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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NGTB60N65FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/60A FAST IGBT FSII
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库存:4,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.1343
87.1343
10
¥78.761
787.61
25
¥75.0772
1876.93
100
¥65.2349
6523.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.64 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
595 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
11.200 g
商品其它信息
优势价格,NGTB60N65FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:1640
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥45.7198
10:¥38.8042
100:¥33.6514
250:¥31.8886
参考库存:12882
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.52206
24,000:查看
参考库存:40739
晶体管
MOSFET SO8FL 60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
5,000:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27756
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0399
参考库存:6978
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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