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晶体管
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CSD87355Q5D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 45A Sync Buck NexFET Power Block
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库存：38,592(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥8.6106
21526.5
5,000
¥8.2942
41471
10,000
¥7.9891
79891
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms, 900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC, 24.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD87355Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
90 S, 151 S
下降时间
3 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
单位重量
161.600 mg
商品其它信息
优势价格，CSD87355Q5D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SGP07N120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.894
10:¥22.826
100:¥19.8202
250:¥18.8258
参考库存:8526
IPA60R125CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥44.7254
10:¥37.9567
100:¥32.883
250:¥31.1993
500:¥28.0466
参考库存:3778
IRG4IBC30WPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz
1:¥23.8204
10:¥20.2044
100:¥17.515
250:¥16.6788
500:¥14.9047
参考库存:5210
MPSA93-AP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -500mA -200V
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
2,000:¥0.69156
10,000:查看
参考库存:88472
DMS3016SSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:28467

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    50万现货SKU

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