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晶体管
RGW80TS65DGC11参考图片

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RGW80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:5,573(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
214 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.407
500:¥3.6386
参考库存:6308
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:376325
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥9.831
6,000:查看
参考库存:16327
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:31779
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:13834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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