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晶体管
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STP200N3LL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP200N3LL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
108 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
183 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，STP200N3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK0655DPB-00#J5
Renesas Electronics
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1:¥17.5941
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2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
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参考库存:38306
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Rectron
晶体管
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1,000:¥14.3736
2,000:¥12.2944
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2SC4690-O(F)
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 140V 10A
暂无价格
参考库存:38316

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