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晶体管
STP200N3LL参考图片

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STP200N3LL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:25,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP200N3LL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
108 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
183 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP200N3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:5574
晶体管
MOSFET FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21351
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.9157
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥4.8703
1,000:¥3.8533
3,000:¥3.8533
参考库存:6538
晶体管
MOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6218
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:14075
晶体管
MOSFET Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:50247
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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