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晶体管
IKFW60N60EH3XKSA1参考图片

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IKFW60N60EH3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
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数量单价合计
1
¥57.63
57.63
10
¥52.093
520.93
25
¥49.6409
1241.0225
100
¥43.1095
4310.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
63 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
63 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKFW60N60EH3 SP001672366
商品其它信息
优势价格,IKFW60N60EH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
5,000:¥3.5256
10,000:¥3.4013
25,000:¥3.2883
参考库存:34493
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:34498
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥383.6576
参考库存:34503
晶体管
MOSFET Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an I PAK package
1:¥48.4092
10:¥41.1094
100:¥35.6515
250:¥33.8096
参考库存:8244
晶体管
MOSFET 600V 2Amp N channel Power Mosfet
15,000:¥2.2713
24,375:¥2.2148
参考库存:34510
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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