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晶体管
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RGW00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥31.1202
311.202
100
¥27.0522
2705.22
250
¥25.6623
6415.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
254 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
96 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGW00TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK8A60W,S4VX
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:4223
FP25R12KT4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥496.0022
5:¥486.8605
10:¥474.261
25:¥464.9611
参考库存:3890
2N6045
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darl SW
1:¥20.905
10:¥18.5998
100:¥14.8256
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:7712
PDTB143EUX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:9469
FZ400R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3921

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