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晶体管
SIRA24DP-T1-GE3参考图片

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SIRA24DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：3,275(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.294
429.4
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9154
2915.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIRA24DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS22DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.9101
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:32176
PHP28NQ15T,127
Nexperia
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 150V 28.5A 3-Pin
1:¥8.5315
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:25993
ZXT10N50DE6TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V NPN SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:17180
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
5,000:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:44212
SIS468DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:26609

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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