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晶体管
IPD80R450P7ATMA1参考图片

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IPD80R450P7ATMA1

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库存:28,045(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8591
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
73 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD80R450P7 SP001422626
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD80R450P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:751690
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:169622
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:3144
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥349.0118
5:¥337.2485
10:¥326.344
25:¥301.7552
参考库存:3306
晶体管
MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
2,500:¥4.1019
参考库存:15573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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