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晶体管
FDPF2D3N10C参考图片

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FDPF2D3N10C

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库存:6,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.2511
50.2511
10
¥42.6462
426.462
100
¥36.9623
3696.23
250
¥35.1204
8780.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
222 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
152 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FDPF2D3N10C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
222 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
74 ns
典型接通延迟时间
42 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FDPF2D3N10C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.4524
参考库存:6020
晶体管
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
10,000:¥1.1865
参考库存:46976
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:17527
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22479
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:9951
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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