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晶体管
SIHA17N80E-E3参考图片

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SIHA17N80E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:2,777(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.1993
311.993
100
¥25.6623
2566.23
250
¥24.8939
6223.475
500
¥22.2836
11141.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SIHA17N80E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
155:¥50.7144
250:¥46.5673
500:¥42.488
1,000:¥37.0414
参考库存:36972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥131.8597
250:¥120.2546
500:¥112.4915
参考库存:36977
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥225.7514
250:¥207.1629
参考库存:36982
晶体管
JFET N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW 30 Ohm
2,500:¥2.2713
10,000:¥2.1922
25,000:¥2.1018
参考库存:36987
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:36992
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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