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晶体管
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IKW75N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65EH5 SP001257948
商品其它信息
优势价格，IKW75N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS20200DMTTBG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:34690
PBSS5330XZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
2,000:¥0.72998
参考库存:24245
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
3,000:¥2.3956
参考库存:34247
RN1314,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 1KOhm / 10KOhm
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.52997
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:34699
DMN67D8L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
参考库存:34704

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