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晶体管
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STP35N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥30.2727
302.727
100
¥26.2047
2620.47
250
¥24.8939
6223.475
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP35N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP35N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3707
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥8.6106
10:¥6.9947
100:¥5.8195
500:¥4.4974
1,000:¥4.0567
参考库存:20010
2SA2012-TD-E
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 30V
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:37737
IRFR9024PBF
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参考库存:6934
BCP69,115
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1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
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InterFET
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JFET JFET N-Channel -20V 10mA 360mW 2.88mW
1:¥81.8346
10:¥67.0768
100:¥55.709
500:¥50.7935
参考库存:4278

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