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晶体管
SQJQ100E-T1_GE3参考图片

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SQJQ100E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
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库存:22,149(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.6787
1467.87
250
¥14.2154
3553.85
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
优势价格,SQJQ100E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3485
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18467
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
参考库存:3474
晶体管
MOSFET Single NChannel 100V 112A 74W 71mOhms
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
1,500:¥1.9662
参考库存:3491
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW
1:¥26.5889
10:¥23.7413
100:¥21.5943
250:¥19.5151
参考库存:3548
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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