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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.6 V at 180 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 6 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	49 ns
下降时间	32 ns
Id-连续漏极电流	204 A
Pd-功率耗散	1360 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	36 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	139 ns
典型接通延迟时间	49 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	1.6 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TK6P65W,RQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET N-Channel	2,000:¥3.7629 10,000:¥3.616 24,000:¥3.503	参考库存:32776
PRMD3Z	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD3/SOT1268 DFN1412-6	5,000:¥0.35369 10,000:¥0.30736 25,000:¥0.28476 50,000:¥0.26894 100,000:¥0.23052	参考库存:32781
CMPT4033 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	12,000:¥0.5989 24,000:¥0.56048 45,000:¥0.50737 99,000:¥0.48364	参考库存:2810824
BCP5210TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K	1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105 10,000:¥0.5989 25,000:¥0.56048	参考库存:295826
STF26N65DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥23.3571 10:¥19.8202 100:¥17.2099 250:¥16.2946	参考库存:6328