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晶体管
STF35N60DM2参考图片

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STF35N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP package
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库存:4,516(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥30.1936
301.936
100
¥26.2047
2620.47
250
¥24.8148
6203.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF35N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STF35N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
参考库存:27583
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:25155
晶体管
MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5258
4,000:¥7.5258
参考库存:14952
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥13.447
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2885
参考库存:2904
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 125mW 0.5mm
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0792
1,000:¥1.5594
8,000:¥1.2317
24,000:查看
参考库存:41226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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