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晶体管
NVD3055-150T4G-VF01参考图片

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NVD3055-150T4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
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库存:12,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5765
45.765
100
¥2.9493
294.93
1,000
¥2.3617
2361.7
2,500
¥2.0001
5000.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
28.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.2 ns
典型接通延迟时间
11.2 ns
商品其它信息
优势价格,NVD3055-150T4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6444
500:¥5.876
1,000:¥4.633
2,500:¥4.633
参考库存:15109
晶体管
MOSFET 40V 2 Ohm
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.91
100:¥7.1981
参考库存:6381
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:31043
晶体管
MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
参考库存:51580
晶体管
MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3052
100:¥1.2656
250:¥1.2656
1,000:¥0.94468
参考库存:6122
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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