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晶体管
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STP100N8F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP100N8F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP100N8F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:32708
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MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥162.1324
10:¥147.3746
25:¥136.3119
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small Signal Engineering Hold
1,000:¥8.0682
2,000:¥7.4806
5,000:¥7.1981
10,000:¥6.9156
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1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:128267
晶体管
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1:¥11.3678
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
参考库存:5904
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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