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晶体管
NGTB10N60R2DT4G参考图片

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NGTB10N60R2DT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
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库存:19,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.8817
688.17
500
¥6.0907
3045.35
1,000
¥4.8025
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
72 W
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,NGTB10N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
1:¥7.684
10:¥6.5314
100:¥5.0285
250:¥5.0285
500:¥4.4409
参考库存:9700
晶体管
MOSFET UF 300V 120MOHM U DPAK
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
800:¥10.5994
2,400:¥10.5316
参考库存:5307
晶体管
达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
参考库存:39439
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥4.7008
3,000:¥4.3618
参考库存:40766
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:104553
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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