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晶体管
NGTB10N60R2DT4G参考图片

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NGTB10N60R2DT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
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库存:19,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.8817
688.17
500
¥6.0907
3045.35
1,000
¥4.8025
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
72 W
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,NGTB10N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥45.3356
10:¥37.5725
100:¥30.962
250:¥29.9676
500:¥26.894
参考库存:8214
晶体管
MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9156
10:¥5.5596
100:¥4.2149
500:¥3.4917
1,000:¥2.7911
3,000:¥2.5312
参考库存:13656
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:53008
晶体管
MOSFET P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥18.6676
10:¥16.8257
100:¥13.5261
500:¥9.2999
参考库存:10765
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:66787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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