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晶体管
IRF7341GTRPBF参考图片

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IRF7341GTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET PLANAR_MOSFETS
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数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥6.9721
6972.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms, 65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC, 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
10.4 S, 10.4 S
下降时间
12.5 ns, 12.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns, 7.7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns, 31 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns, 9.2 ns
零件号别名
SP001563394
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，IRF7341GTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMZ1NT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Complementary
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:97114
2PD602AQL,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:15991
DDTA123EUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14508
F4-75R12KS4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V
1:¥967.0314
5:¥948.0474
10:¥903.8644
25:¥884.8917
参考库存:1610
DDC114YU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN SOT-363
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:403197

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    50万现货SKU

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