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晶体管
STGB20V60DF参考图片

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STGB20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
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库存:5,195(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥20.0575
200.575
100
¥17.3681
1736.81
250
¥16.4415
4110.375
1,000
¥12.4526
12452.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20V60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.7574
10:¥5.3901
100:¥4.0906
500:¥3.3787
1,000:¥3.2205
2,500:¥2.825
参考库存:27241
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:34548
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9267
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:15065
晶体管
MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:7097
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.5257
500:¥4.8816
2,500:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:19499
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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