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产品分类

晶体管
TK49N65W,S1F参考图片

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TK49N65W,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK49N65W
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK49N65W,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
1,000:查看
参考库存:4225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:720562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥41.8778
10:¥37.4256
100:¥34.0356
250:¥30.736
参考库存:10219
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
8,000:¥1.04525
24,000:查看
参考库存:148961
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:16458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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