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晶体管

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BSM30GD60DLC

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数量单价合计
10
¥584.7524
5847.524
30
¥565.2373
16957.119
100
¥526.2749
52627.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
135 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM30GD60DLCBOSA1 SP000100389
商品其它信息
优势价格,BSM30GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:28329
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥764.0156
参考库存:28334
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Pwr SW
1,200:¥5.3223
参考库存:28339
晶体管
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2,500:¥3.7403
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.47686
20,000:¥0.45313
参考库存:28346
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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