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晶体管
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TGF2957

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
输出功率
48.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
68 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112250
商品其它信息
优势价格，TGF2957的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N06S4H1AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
500:¥15.594
参考库存:3055
PDTC124EMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:51592
SIZ300DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ342DT-T1-GE3
1:¥8.6784
10:¥7.1755
100:¥5.5144
500:¥4.7347
3,000:¥3.4917
6,000:查看
参考库存:16274
RN2902,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:31596
STP2N95K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:6598

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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