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晶体管
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CGHV40180F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
20.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440223
封装
Tray
工作频率
DC to 1000 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40180F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，CGHV40180F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD30N06S4L23ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:25696
RRR015P03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.2317
参考库存:21573
IRFSL7787PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3676
1,000:¥6.102
参考库存:3100
SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
2,500:¥6.0116
5,000:查看
参考库存:14782
BCP5510TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:42619

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    50万现货SKU

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