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晶体管
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QPD1022SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
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20623.63
200
¥191.7949
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
610 mA
输出功率
10 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
工作频率
DC to 12 GHz
系列
QPD1022
商标
Qorvo
开发套件
QPD1022EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1022SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
1:¥174.2686
5:¥172.4267
10:¥160.7538
25:¥153.5218
800:¥108.3444
参考库存:3987
CSD19537Q3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
250:¥6.4523
500:¥5.6952
参考库存:79979
FCP850N80Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.2942
500:¥7.3111
参考库存:6236
PMZB320UPEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
10,000:¥0.56048
20,000:查看
参考库存:85188
FF600R12ME4EB11BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,906.2422
5:¥1,860.3755
10:¥1,814.1924
25:¥1,788.7561
参考库存:1600

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