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APTGLQ600A65T6G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥1,526.2006
152620.06
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
770 A
栅极—射极漏泄电流
1 uA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGLQ600A65T6G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDD3672-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V NChannel UniFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:8012
STW14NK50Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.9784
250:¥18.9049
参考库存:6579
FDMC86240
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
3,000:¥7.1642
6,000:查看
参考库存:52631
SI7116DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
3,000:¥10.2152
参考库存:16898
FDMC86320
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:18830

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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