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APTGT300A60D3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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¥938.5215
93852.15
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
940 W
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APTGT300A60D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17318Q2T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1696
250:¥2.1696
1,000:¥1.6724
参考库存:8604
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:3926
STFU9N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:7148
SIA928DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:21205
2PS12017E44G35911
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥51,270.9476
参考库存:2247

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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