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晶体管
CDM22011-600LRFP参考图片

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CDM22011-600LRFP

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
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库存:33,181(价格仅供参考)
数量单价合计
700
¥10.2152
7150.64
1,400
¥8.4524
11833.36
2,800
¥7.8422
21958.16
5,600
¥7.5484
42271.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23.05 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Bulk
系列
CDM
商标
Central Semiconductor
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CDM22011-600LRFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Ic 250A Vce(On)1.10V Sngl Brdge Trench PT
1:¥200.9366
5:¥191.874
10:¥185.8737
25:¥170.8108
参考库存:3915
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:36937
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
1:¥1,062.6972
5:¥1,041.7922
10:¥993.2361
25:¥972.4102
参考库存:2399
晶体管
MOSFET 30V 55Amp N channel Mosfet with ESD protection
1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4578
500:¥2.5312
2,500:¥1.7402
5,000:查看
参考库存:26671
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:27323
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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