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晶体管
IRF1503PBF参考图片

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IRF1503PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
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数量单价合计
3,000
¥13.8312
41493.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001561384
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF1503PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF51N25
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
1:¥19.8993
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:15792
T2G6000528-Q3 28V
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:3949
FGH40N60SMD
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.2837
参考库存:9796
FDD5614P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:108033
NTMS5P02R2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET -20V -5.4A P-Channel
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:73765

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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