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晶体管
IRGS6B60KDTRRP参考图片

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IRGS6B60KDTRRP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
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库存:30,761(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥10.4525
8362
2,400
¥9.6841
23241.84
4,800
¥9.379
45019.2
9,600
¥8.9948
86350.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-222AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001542290
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KDTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:751690
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:169622
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:3144
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥349.0118
5:¥337.2485
10:¥326.344
25:¥301.7552
参考库存:3306
晶体管
MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
2,500:¥4.1019
参考库存:15573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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