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晶体管

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BSM100GD60DLC

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数量单价合计
10
¥1,276.3915
12763.915
30
¥1,258.481
37754.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GD60DLCBOSA1 SP000100375
商品其它信息
优势价格,BSM100GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:42538
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:27110
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
1:¥17.2099
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
参考库存:3295
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
500:¥27.1991
参考库存:2997
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 5 mO std level MOSFET
1:¥27.5833
10:¥23.5153
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:27119
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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