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晶体管
BCY78-VII参考图片

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BCY78-VII

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
2,000
¥7.4241
14848.2
4,000
¥7.1416
28566.4
10,000
¥6.8704
68704
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY78-VII PBFREE
商品其它信息
优势价格，BCY78-VII的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJU002N06T106
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:16296
BCP5616H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:85788
2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0399
参考库存:5765
ALD212900PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
参考库存:3352
DTC144WKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:35439

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