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晶体管
MRF8P29300HSR6参考图片

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MRF8P29300HSR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
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数量单价合计
150
¥2,672.5743
400886.145
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.3 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
系列
MRF8P29300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935310588128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，MRF8P29300HSR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5781
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥44.183
10:¥39.4935
100:¥35.9566
250:¥32.431
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参考库存:93637

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