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晶体管
STGIF10CH60TS-E参考图片

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STGIF10CH60TS-E

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库存:35,794(价格仅供参考)
数量单价合计
156
¥65.9242
10284.1752
312
¥62.6246
19538.8752
624
¥58.6244
36581.6256
1,092
¥53.788
58736.496
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
33 W
封装 / 箱体
SDIP2F-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGIF10CH60TS
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIF10CH60TS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 60V HEFET
5,000:¥10.8367
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
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100:¥462.2717
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2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.842
100:¥2.9041
500:¥2.1244
2,500:¥1.4577
10,000:查看
参考库存:23321
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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