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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BLT81,115	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF	1:¥18.6676 10:¥15.9104 100:¥12.6786 500:¥11.1418 1,000:¥9.2208	参考库存:9605
IPB80N08S2L07ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS	1:¥21.2101 10:¥18.0574 100:¥14.4414 500:¥12.5995 1,000:¥10.4525	参考库存:5992
NTB45N06LT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 45A N-Channel	1:¥12.1362 10:¥10.2943 100:¥8.2264 500:¥7.1981 800:¥5.9664	参考库存:4594
AUIRG4BC30U-S	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT	1:¥25.6623 10:¥21.8203 100:¥18.9049 250:¥17.8992	参考库存:8096
PSMN022-30PL,127	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHAN 30V 30A	1:¥5.8421 10:¥4.8025 100:¥3.0962 1,000:¥2.486	参考库存:92788