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FS75R12KE3_B9

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10
¥851.5454
8515.454
30
¥833.6349
25009.047
100
¥791.9153
79191.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3B9BOSA1 SP000721046
商品其它信息
优势价格，FS75R12KE3_B9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPSA42 APM
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 500mA 1.5W
6,000:¥1.2091
10,000:¥1.12209
24,000:¥1.05994
50,000:¥1.03734
参考库存:30805
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50:¥182.3368
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24,000:¥0.5763
45,000:¥0.50737
参考库存:30820
SCT30N120H
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1,000:¥108.8868
参考库存:30825

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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