PDTA123EM,315详细信息_PDTA123EM,315相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-1006-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	0.47 mm
长度	1 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
宽度	0.5 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTA123EM T/R

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTD6416ANT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO	1:¥6.4523 10:¥5.4466 100:¥4.181 500:¥3.6951 2,500:¥2.5877 10,000:查看	参考库存:45147
FDMC7208S	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥10.3734 10:¥8.8366 100:¥6.78 500:¥5.989 3,000:¥4.1923 9,000:查看	参考库存:9924
2N4013	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW	1:¥20.5886 10:¥18.3625 100:¥14.6787 500:¥12.8368	参考库存:8381
SI4842BDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V	1:¥17.515 10:¥14.5205 100:¥11.30 500:¥9.831 1,000:¥8.2264 2,500:¥8.2264	参考库存:25198
IRFP054PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET	1:¥32.1146 10:¥25.7414 100:¥23.4362 500:¥18.984 1,000:¥15.9782	参考库存:6435