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晶体管
DGTD65T50S1PT参考图片

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DGTD65T50S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
1
¥43.1886
43.1886
10
¥36.725
367.25
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1936
7548.4
500
¥27.0522
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格，DGTD65T50S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5226A-4-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
参考库存:49095
MPQ6502
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad PNP/NPN
1:¥33.9678
10:¥30.2727
100:¥27.5833
250:¥24.8939
参考库存:4447
SMMBTA92LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:61794
NTMFS4841NHT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
1,500:¥2.147
参考库存:24746
PMBT2222A,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.791
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:342128

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